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C8051T610/1/2/3/4/5/6/7
Table 7.5. Internal Voltage Regulator Electrical Characteristics
–40 to +85 °C unless otherwise specified.
Parameter
Input Voltage Range
Bias Current
Normal Mode
Conditions
Min
1.8
—
Typ
—
30
Max
3.6
50
Units
V
μA
Table 7.6. EPROM Electrical Characteristics
Parameter
EPROM Size
EPROM Size
Write Cycle Time (per Byte) 2
Programming Voltage (V PP ) 3
Conditions
C8051T610/1/6/7
C8051T612/3/4/5
Date Code 0935 and Later
Date Code prior to 0935
Min
16384 1
8192
105
5.75
6.25
Typ
—
—
155
6.0
6.325
Max
—
—
205
6.25
6.5
Units
bytes
bytes
μs
V
V
Notes:
1. 512 bytes at location 0x3E00 to 0x3FFF are not available for program storage.
2. The EPROM write cycle time is adjustable as part of the EPROM write sequence detailed in Section 17.1.1.
The EEPROM timing listed is for date code 1119 and later. For date codes prior to 1119, the guidance in
Section 17.1.1 will produce write times that are twice as long.
3. Refer to device errata for details.
Table 7.7. Internal High-Frequency Oscillator Electrical Characteristics
V DD = 1.8 to 3.6 V; T A = –40 to +85 °C unless otherwise specified. Use factory-calibrated settings.
Parameter
Oscillator Frequency
Oscillator Supply Current ?
Conditions
IFCN = 11b
25 °C, V DD = 3.0 V,
Min
24
—
Typ
24.5
450
Max
25
700
Units
MHz
μA
(from V DD )
OSCICN.7 = 1
Power Supply Variance
Temperature Variance
Constant Temperature
Constant Supply
—
—
±0.02
±20
—
—
%/V
ppm/°C
34
Rev 1.1
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